Texas Instruments GaN FET da 650 V LMG3526R050

Il GaN FET da 650 V LMG3526R050 di Texas Instrument con driver e protezione integrati è destinato ai convertitori di potenza in modalità commutazione e consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di densità di potenza e di efficienza. Il LMG3526R050 integra un driver in silicio che consente velocità di commutazione fino a 150 V/ns. TI offre polarizzazione del gate di precisione integrata, con conseguente SOA di commutazione più elevata rispetto ai driver con gate in silicio discreti. Questa integrazione, combinata con il pacchetto a bassa induttanza di TI, garantisce un minimo ringing e una commutazione pulita nelle topologie di alimentazione a commutazione hardware. La forza regolabile del gate drive consente il controllo della velocità di rotazione da 15 V/ns a 150 V/ns. Questo controllo può essere utilizzato per controllare l'EMI e ottimizzare attivamente le prestazioni di commutazione.

Le funzionalità avanzate includono il reporting digitale della temperatura, il rilevamento dei guasti e il rilevamento della tensione zero (ZVD). La temperatura del FET GaN viene segnalata tramite un'uscita PWM a duty cycle variabile. I guasti segnalati includono monitoraggio di sovratemperatura, sovracorrente e UVLO. La funzione ZVD può fornire un'uscita a impulsi dal pin ZVD quando viene realizzata la commutazione a tensione zero (ZVS).

Caratteristiche

  • FET GaN-on-Si da 650 V con gate driver integrato
    • Tensione di polarizzazione del gate ad alta precisione integrata
    • Dispositivo di fissaggio FET da 200 V/ns
    • Frequenza di commutazione di 3,6 MHz
    • Velocità di risposta da 15 V/ns a 150 V/ns per l'ottimizzazione delle prestazioni di commutazione e la mitigazione EMI
    • Funziona con alimentazione da 7,5 V a 18 V
  • Gestione avanzata dell'energia
    • Uscita PWM digitale della temperatura
  • Funzionalità di rilevamento della tensione zero che facilita i convertitori a commutazione graduale
  • Protezione solida
    • Protezione da sovracorrente ciclo per ciclo e da corto circuiti con blocco con risposta < 100 ns
    • Resiste al picco di 720 V durante l'hard-switching
    • Autoprotezione da sovratemperatura interna e monitoraggio UVLO
  • Il pacchetto VQFN di 12 mm × 12 mm con raffreddamento sul lato superiore separa i percorsi elettrici e termici per un'induttanza del circuito di alimentazione più bassa

Applicazioni

  • Convertitori di potenza a commutazione
  • PSU per server e reti commerciali
  • Rettificatori per telecomunicazioni commerciali
  • Inverter solari e azionamenti per motori industriali
  • Gruppi statici di continuità

Diagramma a blocchi semplificato

Schema a blocchi - Texas Instruments GaN FET da 650 V LMG3526R050
Pubblicato: 2024-01-29 | Aggiornato: 2024-07-25