GaN FET da 650 V LMG3526R050

Il GaN FET da 650 V LMG3526R050 di Texas Instrument con driver e protezione integrati è destinato ai convertitori di potenza in modalità commutazione e consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di densità di potenza e di efficienza. Il LMG3526R050 integra un driver in silicio che consente velocità di commutazione fino a 150 V/ns. TI offre polarizzazione del gate di precisione integrata, con conseguente SOA di commutazione più elevata rispetto ai driver con gate in silicio discreti. Questa integrazione, combinata con il pacchetto a bassa induttanza di TI, garantisce un minimo ringing e una commutazione pulita nelle topologie di alimentazione a commutazione hardware. La forza regolabile del gate drive consente il controllo della velocità di rotazione da 15 V/ns a 150 V/ns. Questo controllo può essere utilizzato per controllare l'EMI e ottimizzare attivamente le prestazioni di commutazione.