STMicroelectronics MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9
Il MOSFET di potenza STP65N045M9 MDmesh M9 di STMicroelectronics è progettato per MOSFET di media/alta tensione con RDS(on) molto bassa per area. Il dispositivo implementa l'innovativa tecnologia super-junction MDmesh M9 che offre un processo di produzione multi-drain che consente una struttura del dispositivo migliorata.
Il MOSFET di potenza STM STP65N045M9 MDmesh M9 ha una bassa resistenza in conduzione e valori di carica del gate ridotti. Queste caratteristiche rendono l'STP65N045M9 particolarmente adatto per applicazioni che richiedono densità di potenza superiore ed efficienza eccezionale.
Caratteristiche
- Eccellente RDS(on) per area tra dispositivi a base di silicio
- Valore nominale VDSS più elevato
- Capacità dv/dt superiore
- Eccellenti prestazioni di commutazione
- Facilità di azionamento
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
Applicazione tipica
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Struttura del dispositivo migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica del gate.
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Pubblicato: 2022-05-18
| Aggiornato: 2023-02-13