ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 MOSFET di potenza SiC a canale N
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 è un dispositivo di livello automobilistico progettato per applicazioni ad alta efficienza e alta affidabilità in ambienti difficili. Con una tensione nominale drain-source di 750 V e un drain current continua di 31 A (a +25°C per chip), questo doppio MOSFET dispositivo offre una tipica resistenza di soli 45 mΩ per canale, consentendo perdite di conduzione ridotte e prestazioni termiche migliorate. Confezionato in una configurazione compatta TO-263-7LA il ROHM SCT4045DWAHR supporta progetti ad alta densità e una gestione termica efficiente.
Lo SCT4045DWAHR è ideale per l'uso negli inverter dei veicoli elettrici (EV), nei caricatori di bordo e in altri sistemi di trasmissione di potenza per il settore automobilistico, beneficiando dei vantaggi intrinseci della tecnologia SiC come la commutazione ad alta velocità, le basse perdite di commutazione e un eccellente funzionamento ad alta temperatura. La certificazione per il settore automobilistico garantisce prestazioni robuste secondo rigorosi standard di affidabilità, rendendo il MOSFET una scelta solida per l'elettrificazione dei veicoli di nuova generazione.
Caratteristiche
- Conformi alle qualifiche AEC-Q101
- Bassa resistenza in conduzione
- Velocità di commutazione elevata
- Recupero inverso rapido
- Facile da mettere in parallelo
- Semplice da pilotare
- Package TO-263-7LA
- Ampia distanza di dispersione 4,7 mm (minima)
- Rivestimento senza piombo
- Conforme alla direttiva RoH
Applicazioni
- Automotive
- Alimentazioni con modalità interruttore
Specifiche
- Tensione massima drain-source 750 V
- Massima corrente continua drain/source
- 31 A a +25 °C
- 22 A a +100 °C
- Corrente drain massima a tensione gate zero 80 μA
- Drain current pulsata massima 61 A
- Diodo
- Corrente diretta massima
- 31 A pulsata
- 61 A sovratensione
- 3,3 V tensione diretta tipica
- Tempo di recupero inverso tipico di 9,3 ns
- Carica di recupero inverso di 89 nC
- 19 A tipica corrente di picco di recupero inverso
- Corrente diretta massima
- Intervallo di tensione di gate-source CC massimo da -4 V a 21 V
- portata massimo di tensione di sovratensione gate-source da -4 V a 23 V
- Tensione di pilotaggio massima consigliata gate-source
- Portata massima di attivazione da 15 V a 18 V
- Spegnimento 0 V
- Corrente di dispersione gate-source ±100nA
- Intervallo di tesione di soglia del gate da 2,8 V a 4,8 V
- Resistenza in stato attivo tra drain e source
- 59 mΩ statico massimo a +25 °C
- 45 mΩ tipico
- 4 Ω tipica resistenza di ingresso del gate
- Resistenza termica giunzione-corpo di 1.6K/W
- 9,3 S transconduttanza tipica
- Capacità elettrica tipica
- Ingresso 1.460 pF
- Uscita 69 pF
- Trasferimento inverso 5 pF
- Uscita effettiva 90 pF, relativa all'energia
- Gate tipico
- Totale 63 nC
- Carica source 14 nC
- Carica drain 19 nC
- Tempo tipico
- Ritardo di accensione di 5,1 ns
- Rialzo di 16 ns
- Ritardo di spegnimento di 27 ns
- Crollo di 10 ns
- Tipica commutazione delle perdite
- Accensione 112 μJ
- Spegnimento 17 μJ
- Temperatura di giunzione virtuale massima +175 °C
Circuito interno
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