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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC canale N SCT4013DR

Il MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor SCT4013DR è un dispositivo ad alte prestazioni progettato per applicazioni di elettronica di potenza impegnative. Grazie a una tensione nominale drain-source di 750 V e una corrente di drain continua di 105 A (a +25°C), questo dispositivo offre un'efficienza e prestazioni termiche eccezionali. La bassa resistenza di 13 mΩ (tipica) e le caratteristiche di commutazione rapida rendono l'SCT4013DR di ROHM ideale per applicazioni ad alta frequenza come alimentatori inverter e azionamenti motori. L'SCT4013DR beneficia anche dei vantaggi intrinseci della tecnologia SiC, tra cui un'elevata tensione di rottura, bassi livelli di perdita di commutazione e una conducibilità termica superiore, che contribuiscono a ridurre le dimensioni del sistema e a migliorare l'affidabilità. Confezionato in un case TO-247-4L il MOSFET supporta una gestione termica robusta e una facile integrazione nei progetti esistenti.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Velocità di commutazione elevata
  • Recupero inverso rapido
  • Facile da mettere in parallelo
  • Semplice da pilotare
  • Package TO-247-4L
  • Rivestimento senza piombo
  • Conforme alla direttiva RoH

Applicazioni

  • Inverter solari
  • Convertitori CC/CC
  • Alimentatori a commutazione
  • Riscaldamento a induzione

Specifiche

  • Tensione massima sorgente-drain 750 V
  • Corrente massima continua di drain/source
    • 105 A a +25 °C
    • 74 A a +100 °C
  • Corrente di drain con tensione di gate pari a zero 80 μA
  • Corrente di drain impulsiva massima 233 A
  • Diodo di corpo
    • Corrente diretta massima
      • impulsiva 105 A
      • picco 233 A
    • Tensione diretta tipica 3,3 V
    • Tempo di recupero inverso tipico di 16 ns
    • Carica di recupero inverso di 290 nC
    • Tipica corrente di recupero inversa di picco 36 A
  • Intervallo di tensione di gate-source CC massimo da -4 V a 21 V
  • Intervallo massimo di tensione di sovratensione gate-source da -4 V a 23 V
  • Tensione di pilotaggio massima consigliata tra gate e sorgente
    • Intervallo massimo di attivazione da 15 V a 18 V
    • Spegnimento 0 V
  • Corrente di dispersione tra gate e sorgente ±100nA
  • Intervallo di tesione di soglia del gate da 2,8 V a 4,8 V
  • Resistenza in stato attivo tra drain e source
    • massimo 16,9 mΩ statico a +25 °C
    • 13 mΩ tipico
  • Resistenza di ingresso tipica del gate 1 Ω
  • Resistenza termica tra giunzione e alloggiamento 0,48 K/W
  • Transconduttanza 32 S
  • Capacità elettrica tipica
    • ingresso 4,580 pF
    • uscita 203 pF
    • trasferimento inverso 10 pF
    • uscita effettiva 263 pF, relativa all'energia
  • Gate tipica
    • totale 170nC
    • carica di source 39nC
    • carica di drain 42nC
  • Tempo tipico
    • Ritardo di accensione 17 ns
    • Salita 32 ns
    • Ritardo di spegnimento 82 ns
    • Discesa 17 ns
  • Perdite di commutazione tipiche
    • Accensione 500μJ
    • Spegnimento 310μJ
  • Tempo di resistenza tipico al cortocircuito da 11,5 µs a 12,0 µs
  • Temperatura di giunzione virtuale massima +175 °C

Circuito interno

Diagramma - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC canale N SCT4013DR

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Pubblicato: 2025-06-13 | Aggiornato: 2025-06-19