ROHM Semiconductor Diodi a barriera Schottky per il settore automobilistico RBR40NSx0AFH
I diodi a barriera Schottky per il settore automobilistico RBR40NSx0AFH di ROHM Semiconductor sono diodi di tipo a bassa VF altamente affidabili. Questi diodi a barriera presentano un tipo a stampo di potenza e un doppio tipo comune a catodo e sono dotati di una struttura planare epitassiale al silicio. I diodi RBR40NSx0AFH sono memorizzati nell’intervallo di temperatura da -55 °C a +150 °C. Questi diodi a barriera funzionano con corrente diretta raddrizzata media 40 A, corrente di sovratensione diretta di picco 100 A e temperatura di giunzione +150 °C. I diodi a barriera Schottky per il settore automobilistico RBR40NSx0AFH di ROHM Semiconductor sono ideali per l’uso in alimentatori a commutazione
Caratteristiche
- Grande affidabilità
- Tipo di stampo per alimentazione
- A catodo di tipo doppio comune
- Bassa VF
- Struttura planare epitassiale in silicio
Specifiche
- RBR40NS40AFH
- Tensione inversa di picco ripetitiva 40 V
- Tensione inversa 40 V
- RBR40NS30AFH
- Tensione inversa di picco ripetitiva 30 V
- Tensione inversa 30 V
- Intervallo di temperatura di conservazione da -55 °C a +150 °C
- Temperatura di giunzione +150 °C
- Corrente diretta raddrizzata media 40 A
- Corrente di sovraccarico diretta di picco: 100 A
Diagramma di circuito
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Pubblicato: 2020-04-07
| Aggiornato: 2024-09-24