ROHM Semiconductor EEPROM bus I2C 125°C per il settore automobilistico 2-Wire
Le EEPROM BUS I 125 °C l2C di ROHM Semiconductor per il settore automobilistico 2-Wire sono conformi alle qualifiche AEC-Q100. Le EEPROM BUS I2C ROHM presentano due porte di clock seriale (SCL) e dati seriali (SDA) attraverso cui sono disponibili tutti i controlli. EEPROMs opera da un ampio limite da 1,7 V a 5,5 V, con un possibile funzionamento a 1 MHz.
Le EEPROM BUS I2C offrono un basso consumo di corrente, una modalità di scrittura della pagina di 32Byte/64Byte e un formato bit di 8 K x 8 bit/16 K x 8 bit. Le EEPROM BUS I2C 125 °C sono disponibili nei package SOP8, SOP-J8, TSSOP-B8, MSOP8 e VSON008X2030 con una temperatura di funzionamento ambientale da -40 °C a +125 °C.
Caratteristiche
- Conforme alle qualifiche AEC-Q100
- Tutti i controlli sono disponibili tramite 2 porte di clock seriale (SCL) e dati seriali (SDA)
- Ampio limite di tensione di funzionamento da 1,7 V a 5,5 V, possibile funzionamento a 1 MHz
- Modalità di scrittura pagina 32 byte/64 byte
- Formato bit 8K x 8bit / 16K x 8bit
- Basso consumo di corrente
- Prevenzione di errori di scrittura
- Funzione WP (protezione scrittura) aggiunta
- Prevenzione di errori di scrittura a bassa tensione
- Filtro rumore integrato pin SCL/SDA
- Stato di consegna iniziale FFh
- Package
- 5,0 mm x 6,2 mm x 1,71 mm SOP8
- 4,9 mm x 6,0 mm x 1,65 mm SOP-J8
- 3,0 mm x 6,4 mm x 1,2 mm TSSOP-B8
- 2,9 mm x 4,0 mm x 0.,9 mm MSOP8
- 2,0 mm x 3,0 mm x 0,6 mm VSON008X2030
Applicazioni
- Fotocamera per il settore automobilistico
- Dispositivi elettronici per il settore automobilistico
Specifiche
- Tempo ciclo di scrittura 3,5 ms (max.)
- Tensione di alimentazione da 1,7 V a 5,5 V
- Cicli di scrittura
- 4 milioni di volte (T a = 25 °C)
- 1,2 milioni di volte (T a = 85 °C)
- 0,5 milioni di volte (T a = 105 °C)
- 0,3 milioni di volte (T a = 125 °C)
- Conservazione dei dati
- 100 anni (T a = 25 °C)
- 60 anni (T a = 105 °C)
- 50 anni (T a = 125 °C)
- Temperatura ambiente di funzionamento da -40°C a +125°C
Circuito di applicazione tipico
Schema a blocchi
Associated EEPROMs
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1N04BBH N-Ch
Offre una tensione di drain voltage di 80 V con bassa resistenza di conduzione in un package TO263AB ad alte prestazioni.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04CBKFRA P-Ch
Qualificato AEC-Q101 per applicazioni per il settore automobilistico, inclusi infotainment, illuminazione, ADAS e carrozzeria.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza P-Ch RH7G04CBJFRA
Certificato AEC-Q101 per applicazioni per il settore automobilistico, inclusi infotainment, illuminazione, ADAS e carrozzeria.
ROHM Semiconductor EEPROM serie WL-CSP
Up to 8Kbit serial EEPROM with an I2C BUS interface and are ideal for everyday electronic equipment.
| Codice prodotto | Dimensioni memoria | Organizzazione | Corrente di alimentazione operativa |
|---|---|---|---|
| BR24H64NUX-5ACTR | 64 kbit | 8 k x 8 | 10 uA |
| BR24H32FJ-5ACE2 | 32 kbit | 4 k x 8 | 2 mA |
| BR24H256FVM-5ACTR | 256 kbit | 32 k x 8 | 10 uA |
| BR24H64FVM-5ACTR | 64 kbit | 8 k x 8 | 2 mA |
| BR24H64FVT-5ACE2 | 64 kbit | 8 k x 8 | 10 uA |
| BR24H256NUX-5ACTR | 256 kbit | 32 k x 8 | 10 uA |
| BR24H32FVT-5ACE2 | 32 kbit | 4 k x 8 | 10 uA |
| BR24H128F-5ACE2 | 128 kbit | 16 k x 8 | 10 uA |
| BR24H04ANUX-5ACTR | 4 kbit | 512 x 8 | 10 uA |
| BR24H1MFVT-5ACE2 | 1 Mbit | 128 k x 8 | 20 uA |