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ROHM Semiconductor Schede di valutazione dello stadio di potenza GaN HEMT 650 V

Le schede di valutazione dello stadio di potenza GaN HEMT 650 V di ROHM Semiconductor vengono utilizzate per valutare i circuiti integrati dello stadio di potenza GaN HEMT 650 V. La scheda BM3G007MUV-EVK-003 di ROHM Semiconductor è composta dal BM3G007MUV (FET GaN (650 V 70mΩ), driver integrato e circuito di protezione) e da una scheda su cui sono montati i componenti periferici. La scheda di valutazione BM3G015MUV-EVK-003 è composta dal BM3G015MUV (FET GaN (650 V 150mΩ), driver integrato e circuito di protezione) e da una scheda su cui sono montati i componenti periferici. La scheda di riferimento BM3G007MUV-EVK-002 eroga una tensione di 400 V dall'ingresso da 90Vac a 264Vac.

Caratteristiche

  • BM3G007MUV-EVK-002
    • Tensione in uscita da 400 V dall’ingresso da 90Vac a 264Vac
    • Corrente di uscita fino a 0,6 A
    • GaN HEMT integrato (650 V 70 mΩ), driver e circuito di protezione
    • Lo stadio di potenza GaN ha raggiunto un’efficienza massima di 97,8%
    • Viene utilizzato il BD7695FJ, che è un CI del controller PFC con metodo BCM
    • BD7695FJ fornisce il sistema adatto a tutti i prodotti che richiedono PFC
    • Il BCM viene utilizzato per la parte PFC e il rilevamento di corrente Zero riduce sia la perdita di commutazione che il rumore
    • THD tipico: 8,4%
  • BM3G015MUV-EVK-003
    • È composto da BM3G015MUV (FET GaN (650 V 150 mΩ), driver integrato e circuito di protezione) e da una scheda su cui sono montati componenti periferici
    • Il CI è progettato per adattare i principali controller esistenti in modo da poter essere utilizzato anche per sostituire i tradizionali interruttori di alimentazione discreti, come il MOSFET super junction
  • BM3G007MUV-EVK-003
    • È composto da BM3G007MUV (FET GaN (650 V 70 mΩ), driver integrato e circuito di protezione) e da una scheda su cui sono montati componenti periferici
    • Il CI è progettato per adattare i principali controller esistenti in modo da poter essere utilizzato anche per sostituire i tradizionali interruttori di alimentazione discreti, come il MOSFET super junction

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Pubblicato: 2023-07-19 | Aggiornato: 2026-01-20