Qorvo Amplificatore di potenza SiC GaN a banda larga da 17 W QPA1009
L'amplificatore di potenza GaN su SiC a banda larga da 17 W QPA1009 di Qorvo opera da 10,7 GHz a 12,7 GHz, fornendo 42 dBm di potenza di uscita in saturazione e 16 dB di elevato guadagno del segnale, ottenendo un'efficienza a potenza aggiunta del 33%. Le porte RF del QPA1009 includono condensatori di blocco CC e sono adattate a 50Ω. La porta RF del dispositivo è collegata CC a terra per prestazioni ESD ottimali. Il QPA1009 è realizzato con un processo QGaN15 da 0,15 µm in GaN (nitruro di gallio) su SiC (carburo di silicio) ed è testato al 100% in CC e RF per garantire la conformità alle specifiche elettriche.
Il GaN a banda larga da 17 W Qorvo QPA1009 su amplificatore di potenza SiC è disponibile in un package laminato da 6,0 mm x 5,0 mm. Il QPA1009 può supportare una vasta gamma di condizioni operative, tra cui onda continua (CW), rendendo il dispositivo adatto per applicazioni commerciali e militari.
Caratteristiche
- Intervallo di frequenze da 10,7 GHz a 12,7 GHz
- Potenza di uscita in saturazione di 43 dBm (PSAT)
- 33% di efficienza a potenza aggiunta (PAE)
- Guadagno di potenza 16 dB
- Piccolo guadagno del segnale di 21 dB
- Tensione di drain di 20 V (VD)
- Corrente di drain di 300 mA (IDQ)
- Intervallo temperature di funzionamento da −40 °C a +85 °C
- Package laminato 6,00 mm x 5,00 mm x 1,76 mm
- Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Comunicazioni satellitari
- Radar
- Comunicazioni point-to-point
Strumenti di sviluppo
Qorvo Scheda di valutazione QPA1009EVB
Piattaforma di dimostrazione e sviluppo per il GaN a banda larga da 17 W QPA1009 su amplificatore di potenza SiC.
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Diagramma a blocchi
Profilo del package
Pubblicato: 2022-02-07
| Aggiornato: 2025-07-17