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QPA1009EVB

Name: Qorvo QPA1009EVB
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA1009EVB
Price: 3645 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

772-QPA1009EVB

N. produttore:

QPA1009EVB

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

Strumenti di sviluppo RF 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Scheda dati:

QPA1009EVB Scheda dati (PDF)

Maggiori informazioni

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Prodotto disponibile solo per clienti OEM/EMS e società di ingegneria. Il prodotto non viene spedito a privati nell'area UE o nel Regno Unito.

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	3.645,00 €	3.645,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	Strumenti di sviluppo RF
Limitazioni per la spedizione:	Prodotto disponibile solo per clienti OEM/EMS e società di ingegneria. Il prodotto non viene spedito a privati nell'area UE o nel Regno Unito.
RoHS::
Prodotto:	Evaluation Boards
Tipo:	RF Amplifier
Strumento per la valutazione di:	QPA1009
Frequenza:	10.7 GHz to 12.7 GHz
Marchio:	Qorvo
Confezione:	Bag
Tipo di prodotto:	RF Development Tools
Serie:	QPA1009
Quantità colli di fabbrica:	1
Sottocategoria:	Development Tools
Alias n. parte:	QPA1009

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Scheda dati

QPA1009EVB Scheda dati (PDF)

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

Scheda di valutazione QPA1009EVB

La scheda di valutazione Qorvo QPA1009EVB è una piattaforma di dimostrazione e sviluppo per il GaN a banda larga da 17 W QPA1009 su amplificatore di potenza SiC. Il QPA1009 opera da 10,7 GHz a 12,7 GHz, fornisce 42 dBm di potenza di uscita saturata e 16 dB di guadagno di segnale ampio, ottenendo al contempo un'efficienza a potenza aggiunta del 33%. Le porte RF di QPA1009 hanno condensatori di blocco CC e sono accoppiate a 50 Ω. La porta di ingresso RF del dispositivo è accoppiata mediante CC a terra per prestazioni ESD ottimali.Il QPA1009 è prodotto con un processo GaN QGaN15 da 0,15 µm (nitruro di gallio) su SiC (carburo di silicio) ed è testato al 100% con CC e RF per garantire la conformità alle specifiche elettriche.