onsemi Modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2TR80WDT
Il modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2TR80WDT di onsemi è un modulo di potenza EliteSiC a mezzo ponte doppio da 1200 V, 80 mΩ e 20 A alloggiato in un doppio package in linea (DIP) APM32. Questo modulo SiC è progettato in modo compatto per avere una bassa resistenza totale del modulo. Il modulo di alimentazione NVXK2TR80WDT è qualificato per il settore automobilistico secondo le norme AEC-Q101 e AQG324. Questo modulo di alimentazione è senza piombo, conforme a RoHS e UL94V-0. Il modulo MOSFET EliteSiC NVXK2TR80WDT è ideale per i caricatori HV CC-CC e integrati nelle applicazioni xEV.
Caratteristiche
- Modulo di potenza doppio a mezzo ponte in carburo di silicio (SiC) DIP
- Tensione drain-source 1200 V (VDSS)
- Corrente di drain continua 20 A (ID)
- Resistenza in conduzione drain-source (tipica) 80 mΩ (RDS (on))
- Intervallo di temperatura di esercizio della giunzione (TJ) da -40 °C a 175 °C
- Dispersione e distanza secondo IEC60664-1 e IEC 60950-1
- Design compatto per bassa resistenza totale del modulo
- Serializzazione del modulo per una tracciabilità completa
- Senza piombo.
- Conforme a RoHS e UL94V-0
- Omologati per il settore automobilistico secondo AEC-Q101 e AQG324
Applicazioni
- Caricatore HV CC/CC e integrato per EV-PHEV
- Caricatore integrato da 11 kW a 22 kW per EV-PHEV
Modulo a mezzo ponte MOSFET SiC
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Pubblicato: 2024-08-02
| Aggiornato: 2024-08-28