Moduli al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR80WxT2

I moduli al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR80WxT2 di onsemi  sono moduli di potenza a ponte trifase da 1200 V, 80 m Ω, alloggiati in un contenitore Dual Inline Package (DIP). Questi moduli SiC sono progettati compattamente per avere una bassa resistenza totale del modulo. I moduli di alimentazione NVXK2VR80WxT2 sono qualificati per il settore automobilistico   secondo le norme AEC-Q101 e AQG324. Questi moduli di alimentazione sono privi di piombo e conformi a RoHS, UL94V-0. Il rilevamento di temperatura dei moduli SiC NVXK2VR80WxT2 e la minore resistenza termica li rendono ideali per i caricatori PFC integrati nelle applicazioni xEV.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Serie
Confezione
onsemi Moduli MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Scheda dati
60A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi Moduli MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Scheda dati
44A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube