onsemi Modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2PR80WXT2
Il modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2PR80WXT2 di onsemi è un modulo di potenza a ponte completo 1200 V, 80 m Ω e 31 A alloggiato in un doppio package in linea (DIP). Questo modulo SiC è progettato in modo compatto per una bassa resistenza totale del modulo. Il modulo di alimentazione NVXK2PR80WXT2 è qualificato per il settore automobilistico secondo le norme AEC-Q101 e AQG324. Questo modulo di alimentazione è senza piombo, conforme a RoHS e UL94V-0. Il rilevamento della temperatura del modulo SiC NVXK2PR80WXT2 e la più bassa resistenza termica lo rendono ideale per i caricatori CC-CC e integrati nelle applicazioni xEV.
Caratteristiche
- Modulo di potenza a ponte completo in carburo di silicio (SiC) DIP
- Tensione drain-source 1200 V (VDSS)
- Corrente di drain continua 31 A (ID)
- Resistenza in conduzione drain-source (tipica) 80 mΩ (RDS (on))
- Intervallo di temperatura di esercizio della giunzione da -55 °C a 175 °C (TJ)
- Dispersione e distanza secondo IEC60664 − 1 e IEC 60950 -1
- Design compatto per bassa resistenza totale del modulo
- Serializzazione del modulo per una tracciabilità completa
- Senza piombo.
- Conforme a RoHS e UL94V-0
- Omologati per il settore automobilistico secondo AEC-Q101 e AQG324
Applicazioni
- Caricatore CC/CC e su scheda in applicazioni xEV
- Caricatore integrato da 11 kW a 22 kW per EV-PHEV
Modulo ponte completo MOSFET SiC
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Pubblicato: 2024-08-02
| Aggiornato: 2024-08-28