onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL
Il MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL di onsemi è un MOSFET ad alte prestazioni, progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente. Costruito con l'avanzata tecnologia trench, l'NVMFS5832NL di onsemi offre una RDS(on) eccezionalmente bassa di 4,2 mΩ a VGS = 10 V, consentendo una riduzione delle perdite di conduzione e un miglioramento delle prestazioni termiche. Con una tensione drain-source massima di 40 V e una corrente di drain continua fino a 120 A, questo MOSFET è ideale per ambienti difficili come convertitori CC-CC, rettifica sincrona e controllo motori. Il compatto package Power DFN da 5 mm x 6 mm garantisce un'elevata densità di potenza e un'eccellente dissipazione termica, mentre la bassa carica di gate del dispositivo supporta una commutazione rapida per un'efficienza migliorata nei progetti ad alta frequenza.
Caratteristiche
- Dispositivo da 40 V, 4,2 mΩ, 120 A
- Package DFN5 (SO-8FL) Case 488AA Style 1
- Ingombro ridotto (5 mm x 6 mm) per progetti compatti
- Bassa RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
- Basse QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
- Prodotto con fianchi bagnabili
- Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
- Senza piombo e conforme alla direttiva RoHS
Applicazioni
- Moduli di controllo motore
- Moduli di controllo corpo
- Moduli di controllo del telaio
Specifiche
- Tensione drain-to-source massima 40 V
- Tensione gate-to-source massima ±20 V
- Corrente di drain a impulsi massima 557 A
- Corrente di sorgente massima del diodo integrato 120 A
- Energia massima di valanga drain-to-source a impulso singolo 134 mJ
- Caratteristiche Off
- Tensione di rottura drain-to-source minima 40 V
- Coefficiente di temperatura tipico della tensione di rottura drain-to-source 34.2mV/°C
- Intervallo della corrente di drain massima con tensione di gate zero da 1 µA a 100 µA
- Corrente di dispersione massima gate-to-source di ±100 nA
- Caratteristiche On
- Intervallo della tensione di soglia del gate da 1,4 V a 2,4 V
- Coefficiente di temperatura di soglia negativo tipico 6,4 mV/°C
- Intervallo della resistenza drain-to-source allo stato ON da 4,2 mΩ a 6,5 mΩ
- Transconduttanza diretta tipica 21 S
- Capacità tipica
- Di ingresso 2.700 pF
- Di uscita 360 pF
- Di trasferimento inverso 250 pF
- Cariche tipiche
- Intervallo della carica di gate totale da 25 nC a 51 nC
- Carica del gate di soglia 2,0 nC
- Gate-to-source 8,0 nC
- Gate-to-drain 12.7nC
- Tensione di plateau tipica 3,2 V
- Caratteristiche di commutazione
- Tempo di ritardo di accensione 13 ns
- Tempo di salita 24 ns
- Tempo di ritardo di spegnimento 27 ns
- Tempo di caduta 8.0 ns
- Caratteristiche del diodo drain-source
- Tensione diretta massima del diodo 1,2 V
- Tempo di recupero inverso tipico 28,6 ns
- Tempo di carica tipico 14 ns
- Tempo di scarica tipico 14,5 ns
- Carica di recupero inverso tipica 23,4 nC
- Resistenza termica
- Giunzione-scheda di montaggio (lato superiore), stato stazionario 1,2 °C/W
- Giunzione-ambiente, stato stazionario 40 °C/W
- Intervallo di temperature di giunzione operativa da -55 °C a +175 °C
- Temperatura massima di saldatura dei terminali +260 °C
Schema
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Pubblicato: 2025-11-11
| Aggiornato: 2025-11-19