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NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 1.9 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

863-FS5832NLWFT1G-UM

N. produttore:

NVMFS5832NLWFT1G-UM

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

NVMFS5832NLWFT1G-UM Scheda dati

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	120 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.4 V
Qg - Carica del gate:	51 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	127 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	21 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	24 ns
Serie:	NVMFS5832NL
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	27 ns
Tipico ritardo di accensione:	13 ns

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Scheda dati

NVMFS5832NLWFT1G-UM Scheda dati

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Taiwan
Paese di origine dell'assemblaggio:: Malesia
Paese di diffusione:: Taiwan

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

Il MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL di onsemi è un MOSFET ad alte prestazioni, progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente. Costruito con l'avanzata tecnologia trench, l'NVMFS5832NL di onsemi offre una R_DS(on) eccezionalmente bassa di 4,2 mΩ a V_GS = 10 V, consentendo una riduzione delle perdite di conduzione e un miglioramento delle prestazioni termiche. Con una tensione drain-source massima di 40 V e una corrente di drain continua fino a 120 A, questo MOSFET è ideale per ambienti difficili come convertitori CC-CC, rettifica sincrona e controllo motori. Il compatto package Power DFN da 5 mm x 6 mm garantisce un'elevata densità di potenza e un'eccellente dissipazione termica, mentre la bassa carica di gate del dispositivo supporta una commutazione rapida per un'efficienza migliorata nei progetti ad alta frequenza.

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.