onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG070N120M3S

Il MOSFET al carburo di silicio (SIC) NVBG070N120M3S di Onsemi è un MOSFET EliteSiC planare M3S 1200 V progettato per applicazioni a commutazione rapida. Questo MOSFET offre prestazioni ottimali se pilotato con un gate drive 18 V, ma funziona anche con un gate drive da 15 V. Il MOSFET SiC NVBG070N120M3S è caratterizzato da una carica di gate ultrabassa di 57nC, da una commutazione ad alta velocità con basse capacità di 57pF e da una resistenza tra drain e source tipica di 65mΩ a VGS=18V. Questo MOSFET è testato a valanga 100%, omologato AEC-Q101 e compatibile con PPAP. Il MOSFET SIC NVBG070N120M3S è disponibile in un package D2PAK-7L ed è senza piombo 2LI (sull’interconnessione di secondo livello) e conforme a RoHS (con esenzione 7 A). Le applicazioni tipiche includono caricabatterie su scheda per il settore automobilistico e convertitori CC/CC per EV/HEV.

Caratteristiche

  • D2PAK-7L package
  • Intervallo del gate drive da 15 V a 18 V
  • Tecnologia M3S (RDS(ON) da 64,3 mΩ con basse perditeEON ed EOFF)
  • Collaudati al 100% con metodo a valanga
  • Conforme alle qualifiche AEC-Q101 per il settore automobilistico
  • 2LI senza piombo (su interconnessione di secondo livello)
  • Privi di alogenuri e conformi a RoHS con esenzione 7 A

Specifiche

  • carica del gate ultrabassa 57 nC
  • Commutazione ad alta velocità 57 pF con bassa capacità
  • Resistenza tra drain e source tipica a VGS= 18V
  • Corrente di drain massima tensione a gate zero 100 µA
  • transconduttanza diretta tipica 12 s
  • capacità di ingresso tipica 1230 pF
  • capacità di uscita tipica 57 pF
  • corrente sorgente 33 A (diodo corpo)
  • energia valanga drain-to-source a impulso singolo 91mJ
  • 270 °C temperatura massima per saldatura (10 s)
  • Intervallo di temperatura di funzionamento della giunzione da -55 °C a 175 °C
  • Intervallo di temperatura di conservazione da -55 °C a 175 °C

Applicazioni

  • Caricabatterie integrati per il settore automobilistico
  • convertitori CC/CC automobilistici per EV/HEV

Dimensioni package

Disegno meccanico - onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG070N120M3S
Pubblicato: 2023-08-10 | Aggiornato: 2024-06-18