onsemi MOSFET a canale N PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL
I MOSFET NTTFSxD1N0xHL Onsemi di potenza a canale N PowerTrench® impiegano la tecnologia MOSFET a gate schermato ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa. Questi MOSFET a canale singolo onsemi offrono bassi rumori di commutazione/basse EMI e progettazione del package robusta MSL1 testata UIL al 100%. I MOSFET NTTFSxD1N0xHL sono disponibili in un package WDFN8 senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono i convertitori CC-CC buck, punto di carico, interruttore di carico ad alta efficienza carico e commutazione low-side, FET ORing, alimentatori CC-CC e convertitori buck sincroni MV.
Caratteristiche
- Tecnologia MOSFET a gate schermato ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa.
- Perdite di commutazione e conduzione ridotte
- Package MSL1 robusto
- Testato al 100% UIL
- Senza piombo, senza alogeni, senza BFR e conforme a RoHS
Applicazioni
- Convertitori buck CC-CC e alimentatori CC-CC
- FET ORing e punto di carico
- Interruttore di carico ad alta efficienza e commutazione a bassa tensione.
- Convertitori buck sincroni MV
Specifiche
- NTTFS2D1N04HL
- RDS(on) 2,1 mΩ massima a 10 V VGS, 23 A ID
- RDS(on) massima di 3,3 mΩ a 4,5 V VGS, 18 A ID.
- NTTFS3D7N06HL
- RDS(on) massima di 3,9 mΩ a VGS di 10 V, ID di 233 A
- RDS(on) massima di 5,2 mΩ a VGS di 4,5 V, ID di 18 A
- NTTFS5D9N08H
- Massima RDS(on) di 5,9 mΩ a 10 V VGS, ID di 23 A
- Massima RDS(on) di 9 mΩ a 6 V VGS, ID di 12 A
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione |
|---|---|---|
| NTTFS3D7N06HLTWG |  |
MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 |
| NTTFS2D1N04HLTWG | |
MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3 |
| NTTFS5D9N08HTWG | |
MOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3 |
Pubblicato: 2020-08-06
| Aggiornato: 2024-06-05