MOSFET a canale N PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL

I MOSFET NTTFSxD1N0xHL Onsemi di potenza a canale N PowerTrench® impiegano la tecnologia MOSFET a gate schermato ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa. Questi MOSFET a canale singolo onsemi offrono bassi rumori di commutazione/basse EMI e progettazione del package robusta MSL1 testata UIL al 100%. I MOSFET NTTFSxD1N0xHL sono disponibili in un package WDFN8 senza piombo, senza alogeni/BFR e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono i convertitori CC-CC buck, punto di carico, interruttore di carico ad alta efficienza carico e commutazione low-side, FET ORing, alimentatori CC-CC e convertitori buck sincroni MV.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm 2.230A magazzino
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Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 103 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32.7 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm 7.022A magazzino
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 84 A, 5.9 mohm 5.910A magazzino
Min: 1
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel