onsemi MOSFET di potenza NTMTSC1D5N08MC
Il MOSFET di potenza NTMTSC1D5N08MC onsemi è un MOSFET® doppio COOL a canale N singolo con ingombro ridotto (8 mm x 8 mm) per progetti compatti. Questo MOSFET opera a una tensione pozzo-sorgente di 80 V e a una corrente di pozzo di 287 A. Il MOSFET NTMTSC1D5N08MC è caratterizzato da un basso QG e la capacità necessaria per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo MOSFET è adatto per strumenti elettrici, aspirapolvere alimentati a batteria, UAV/droni, movimentazione dei materiali, BMS/storage e domotica.
Caratteristiche
- Ingombro ridotto (8,0 mm x 8,0 mm) per progetti compatti
- Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
- Tensione drain-source di 80 V (VDSS)
- Bassa capacitanza e QG per ridurre al minimo le perdite del driver
- I dispositivi sono senza piombo, senza alogeni/BFR e conformi a RoHS
Applicazioni
- Utensili elettrici e aspirapolvere alimentati a batteria
- UAV/droni e movimentazione dei materiali
- BMS/stoccaggio e domotica
MOSFET a canale N
Caratteristiche di carica del gate
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Pubblicato: 2023-05-03
| Aggiornato: 2023-07-19