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NTMTSC1D5N08MC

Name: onsemi NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTSC1D5N08MC
Price: 7.17 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMTSC1D5N08MC

N. produttore:

NTMTSC1D5N08MC

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88

Scheda dati:

NTMTSC1D5N08MC Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,17 €	7,17 €
	5,74 €	57,40 €
	4,64 €	464,00 €
	4,13 €	2.065,00 €
	3,65 €	3.650,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	3,65 €	10.950,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	287 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.56 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	101 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	250 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	31 ns
Transconduttanza diretta - Min:	219 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	24 ns
Serie:	NTMTSC1D5N08MC
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	69 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns

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Scheda dati

NTMTSC1D5N08MC Scheda dati

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NTMTSC1D5N08MC

Il MOSFET di potenza NTMTSC1D5N08MC onsemi è un MOSFET^®doppio COOL a canale N singolo con ingombro ridotto (8 mm x 8 mm) per progetti compatti. Questo MOSFET opera a una tensione pozzo-sorgente di 80 V e a una corrente di pozzo di 287 A. Il MOSFET NTMTSC1D5N08MC è caratterizzato da un basso Q_G e la capacità necessaria per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo MOSFET è adatto per strumenti elettrici, aspirapolvere alimentati a batteria, UAV/droni, movimentazione dei materiali, BMS/storage e domotica.

Unità di azionamento industriali

Gli azionamenti motori industriali di onsemi sono progettati per la sostenibilità globale, fornendo tecnologie efficienti e rinnovabili e alimentazione intelligente. Secondo l'analisi di mercato dei sistemi motori (MS mA) del 2020, pubblicata dal Dipartimento dell'Energia (DOE) degli Stati Uniti, le pompe e gli azionamenti industriali consumano annualmente quasi il 15% della rete elettrica totale degli Stati Uniti. L'MSMA 2020 stima inoltre che l'utilizzo dei VFD possa far risparmiare annualmente 32,3 milioni di tonnellate metriche di emissioni di CO₂. onsemi produce una vasta gamma di componenti per semiconduttori VFD, tra cui driver di porta, MOSFET, IGBT ed EliteSiC.