onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTMT045N065SC1

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) NTMT045N065SC1 di Onsemi  utilizzano una tecnologia che offre prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. I MOSFET di Onsemi sono caratterizzati da una bassa resistenza in conduzione e da una dimensione compatta del chip che garantisce una bassa capacità e carica di gate. I dispositivi offrono vantaggi quali l'elevata efficienza, la rapida frequenza di funzionamento, la maggiore densità di potenza, la riduzione delle EMI e le ridotte dimensioni del sistema.