onsemi Driver di gate a due canali isolato da 5 kVRMS NCP51561

I driver di gate a due canali isolati da 5 kVrms NCP51561 di onsemi sono progettati per una rapida commutazione per attivare MOSFET di potenza e interruttori di alimentazione MOSFET SiC. I gate driver NCP51561 da 4,5 A/9,0 A offrono ritardi di propagazione brevi e corrispondenti. È possibile utilizzare due canali driver di gate indipendenti e galvanicamente isolati da 5 kVRMS (classificazione UL1577) in qualsiasi possibile configurazione di due switch low-side, due switch high-side o un driver half-bridge con tempo morto programmabile. Un pin di abilitazione spegne entrambe le uscite simultaneamente quando è abbassato. I gate driver NCP51561 integrano altre importanti funzioni di protezione, come il blocco della sotto tensione indipendente per i driver di porta e l'abilitazione delle funzioni.

I gate driver a doppio canale isolati da 5 kVrms NCP51561 di onsemi sono disponibili in un package WB SOIC-16 con un ampio intervallo di temperatura di giunzione da -40 °C a +150 °C.

Caratteristiche

Capacità corrente di uscita sorgente di picco di 4,5 A, dissipatore di picco di 9 A
Driver di gate flessibile: doppio a valle, doppio a monte o mezzo ponte
Protezione UVLO indipendente per entrambi i driver di uscita
Tensione di alimentazione di uscita da 6,5 V a 30 V con 5 V e 8 V per MOSFET, 13 V e 17 V UVLO per SiC, soglie.
Ritardo di propagazione tipico di 36 ns con:
- Ritardo massimo di adattamento di 5 ns per canale
- Distorsione della durata di impulso massima di 5 ns
logica di ingresso programmabile dall'utente:
- Modalità a ingresso singolo o doppio tramite ANB
- Modalità ENABLE o DISABLE

Immunità transitoria di modo comune CMTI >200 V/ns
Tempo morto programmabile dall'utente
isolamento e sicurezza:
- Isolamento 5 kVRMS per 1 minuto (secondo i requisiti UL1577) e tensione differenziale di picco 1500 V tra i canali di uscita
- Tensione di isolamento rinforzata 8000 VPK (secondo i requisiti VDE0884-11)
package SOIC-16 WB
senza piombo.