Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

NCV51561BBDWR2G

Name: onsemi NCV51561BBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51561BBDWR2G
Price: 3.44 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

863-NCV51561BBDWR2G

N. produttore:

NCV51561BBDWR2G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Gate driver isolati galvanicamente 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Scheda dati:

NCV51561BBDWR2G Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su onsemi NCV51561BBDWR2G

A magazzino: 982

A magazzino:: 982 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 28 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	3,44 €	3,44 €
	2,61 €	26,10 €
	2,39 €	59,75 €
	2,16 €	216,00 €
	1,99 €	497,50 €
	1,96 €	980,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	1,83 €	1.830,00 €
	1,78 €	3.560,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::
Serie:	NCV51561
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-16
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Ritardo propagazione - Max:	58 ns
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Numero di driver:	2 Driver
Numero di uscite:	2 Output
Prodotto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo di prodotto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.:	5 V
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tecnologia:	SiC
Tipo:	High-Side, Low-Side

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

NCV51561BBDWR2G Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.

Driver per gate a doppio canale isolato NCV51561

Il gate driver a doppio canale isolato NCV51561 onsemi presenta una corrente di picco sorgente di 4,5 A e dissipatore di 9 A a con ritardi di propagazione brevi e corrispondenti. Il NCV51561 è realizzato per una rapida commutazione per pilotare MOSFET di potenza e interruttori di alimentazione MOSFET SiC.