NCV51561BBDWR2G

onsemi
863-NCV51561BBDWR2G
NCV51561BBDWR2G

Produttore:

Descrizione:
Gate driver isolati galvanicamente 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Scheda dati:
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onsemi
Categoria prodotto: Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::  
NCV51561
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
58 ns
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Numero di driver: 2 Driver
Numero di uscite: 2 Output
Prodotto: MOSFET Gate Drivers
Tipo di prodotto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.: 5 V
Tensione di alimentazione - Min.: 3 V
Tecnologia: SiC
Tipo: High-Side, Low-Side
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Scheda dati

PCN

Codici di conformità
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:
Filippine
Paese di diffusione:
Giappone
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

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Driver per gate a doppio canale isolato NCV51561

Il gate driver a doppio canale isolato NCV51561 onsemi presenta una corrente di picco sorgente di 4,5 A e dissipatore di 9 A a con ritardi di propagazione brevi e corrispondenti. Il NCV51561 è realizzato per una rapida commutazione per pilotare MOSFET di potenza e interruttori di alimentazione MOSFET SiC.

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