onsemi MOSFET SiC a canale N NTHL080N120SC1A
Il MOSFET a canale N NTHL080N120SC1A di Onsemi offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Questo MOSFET offre una bassa resistenza ON e dimensioni del chip compatte che garantiscono bassa capacità elettrica e carica di gate. Il MOSFET NTHL080N120SC1A Onsemi vanta alta efficienza, funzionamento veloce , frequenza, densità di potenza aumentata, riduzione delle EMI e dimensioni del sistema ridotte. Le applicazioni tipiche includono gruppi statici di continuità (UPS), convertitori CC/CC, inverter boost, correzione del fattore di potenza (PFC), carica del fotovoltaico (PV), inverter solari, alimentatori del server e alimentatori di rete.
Caratteristiche
- Commutazione ad alta velocità e bassa capacità elettrica
- Carica del gate ultra-bassa tipica: 56nC (QG(tot))
- Bassa capacità di uscita effettiva tipica: 80 pF (COSS)
- Testati al 100% con commutazione induttiva senza blocco (UIL)
- Tensione nominale drain-to-source 1200 (VDSS)
- Resistenza drain-to-source massima 110 mΩ a 20 V (RDS(on))
- Corrente di drain massima 31A (ID)
Applicazioni
- UPS
- Convertitori CC/CC
- Inverter boost
- PFC
- Carica PV
- Inverter solari
- Alimentatori di rete
- Alimentatori per server
Risorse aggiuntive
Video
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Pubblicato: 2020-09-14
| Aggiornato: 2024-08-23