NXP Semiconductors Progetto di riferimento per driver VE-Trac™ RDGD31603PHSEVM

Il progetto di riferimento del driver VE-Trac ™ RDGD31603PHSEVM di NXP Semiconductors dimostra un circuito inverter trifase basato su SEI gate driver GD3160. Il GD3160 è un gate driver isolato ad alta tensione a canale singolo avanzato con funzionalità avanzate per pilotare e proteggere MOSFET al carburo di silicio (SiC) o IGBT e sicurezza funzionale. RDGD3160I3PH5EVB supporta la comunicazione a catena di margherita SPI per la programmazione e la comunicazione con tre gate driver a monte e tre gate driver a valle indipendenti. Il progetto di riferimento include la gestione dei guasti e tutti i circuiti di supporto. Le altre caratteristiche di supporto sulla scheda includono la rilevazione di cortocircuiti di desaturazione, la rilevazione della temperatura IGBT, il monitoraggio della tensione del bus di collegamento CC, la rilevazione della corrente di fase, l'eccitazione del motore e la connessione di elaborazione del segnale.

RDGD3160I3PH5EVB include la Scheda di sviluppo Freedom FRDM-KL25Z per interfacciarsi con un PC. Il software Flex GUI deve essere installato sul PC che comunica con il GD3160 tramite registri SPI, in una configurazione a margherita o autonoma. Il software FlexGUI consente all'utente di configurare i dispositivi GD3160 senza alcuno sviluppo di software e di condurre test di cortocircuito (SC) o a doppio impulso (DPT) su una singola fase.

RDGD31603PHSEVM è progettato per connettersi a un ingombro compatibile di un Modulo SiC VE-Trac onsemi (non incluso) o a qualsiasi altro modulo MOSFET con la stessa piedinatura. Il progetto di riferimento è compatibile anche con la Scheda MicrocontrollerMPC5775x-EVB (non inclusa), consentendo il controllo completo del motore utilizzando gli esempi DEL software NXP.

Il progetto di riferimento RDGD31603PHSEVM NXP Semiconductors può essere utilizzato come base per sviluppare un inverter motore di trazione ad alta potenza, ad alta tensione, conforme ad ASIL-D completo per veicoli elettrici.

Caratteristiche

Capacità di eseguire test SC e DPT su Fase U
Scheda di valutazione progettata e popolata con driver di porta GD3160 e circuiti di protezione
Capacità di connettersi ai moduli SiC dell'unità Hybrid per la valutazione e lo sviluppo trifase completi
Comunicazione SPI daisy chain (tre gate driver lato alto e tre lato basso)
Alimentatore V_CC fly-back variabile con riferimento GND e alimentazione V VEE-3,9 V
Facile accesso ai punti di prova di alimentazione, messa a terra e segnale

Presa PCIe a 32 pin per il controllo MCU interfacciabile
Collegamento opzionale per il monitoraggio della tensione del bus CC
Collegamenti con feedback di corrente di fase
Connettore di segnale Resolver
Componenti chiave
- Gate driver per il settore automobilistico GD3160 per MOSFET/IGBT SiC
- Microcontroller Power Architecture® MPC5777C
- Chip di base del sistema FS6500
- Ricetrasmettitore TJA1042 High-Speed CAN

Apparecchiature necessarie

Scheda microcontroller per comunicazione SPI
- FRDM-KL25Z (incluso), MPC5777C-DEVB (non incluso), MPC5775x-EVB (non incluso) consigliato
Modulo SiC VE-Trac NVXR17S90M2SP onsemi o altro modulo MOSFET compatibile (non incluso)

Condensatore CC link compatibile
Alimentatore HV con schermatura di protezione e protezione dell'udito
Sensori di corrente per il monitoraggio della corrente di ogni fase
Alimentatore 12 V, 1,0 A CC
Oscilloscopio a 4 canali con appropriate sonde isolate

Software

Il progetto di riferimento RDGD31603PHSEVM di NXP Semiconductors richiede una workstation PC Windows con una porta USB disponibile e Windows 7, 10 o superiore. È necessario anche il seguente software, disponibile presso NXP.