RDGD31603PHSEVM

NXP Semiconductors
771-RDGD31603PHSEVM
RDGD31603PHSEVM

Produttore:

Descrizione:
Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione RDGD31603PHSEVM

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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
NXP
Categoria prodotto: Strumenti di sviluppo CI di gestione alimentazione
RoHS:: N
Reference Design Boards
Inverter
12 V
GD3160
Marchio: NXP Semiconductors
Tipo di interfaccia: SPI
Tipo di prodotto: Power Management IC Development Tools
Quantità colli di fabbrica: 1
Sottocategoria: Development Tools
Alias n. parte: 935427963598
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Codici di conformità
TARIC:
8473302000
USHTS:
8473301180
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Stati Uniti d'America
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
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Progetto di riferimento per driver VE-Trac™ RDGD31603PHSEVM

Il progetto di riferimento del driver VE-Trac ™ RDGD31603PHSEVM di NXP Semiconductors dimostra un circuito inverter trifase basato su SEI   gate driver GD3160. Il GD3160 è un gate driver isolato ad alta tensione a canale singolo avanzato con funzionalità avanzate per pilotare e proteggere  MOSFET al carburo di silicio (SiC) o IGBT e sicurezza funzionale. RDGD3160I3PH5EVB supporta la comunicazione a catena di margherita SPI per la programmazione e la comunicazione con tre gate driver a monte e tre gate driver a valle indipendenti. Il progetto di riferimento include la gestione dei guasti e tutti i circuiti di supporto. Le altre caratteristiche di supporto sulla scheda includono la rilevazione di cortocircuiti di desaturazione, la rilevazione della temperatura IGBT, il monitoraggio della tensione del bus di collegamento CC, la rilevazione della corrente di fase, l'eccitazione del motore e la connessione di elaborazione del segnale.