NXP Semiconductors Gate driver avanzati GD3160
I gate driver avanzati GD3160 di NXP Semiconductors sono progettati per pilotare moduli SiC e IGBT per inverter di trazione xEV, convertitori OBC e CC-CC. Il GD3160 presenta un isolamento galvanico integrato, un'interfaccia programmabile tramite SPI e opzioni di protezione programmabili avanzate, come sovratemperatura, desaturazione e protezione della rilevazione di corrente.
I gate driver avanzati GD3160 di NXP Semiconductors azionano in modo efficiente i gate MOSFET SiC e IGBT utilizzando direttamente commutazione ad alte prestazioni, bassa resistenza in conduzione dinamica e controllo della tensione del gate rail-to-rail.
Il GD3160 gestisce autonomamente i guasti, segnalando lo stato del dispositivo di alimentazione e del driver di gate tramite i pin INTA e INTB e l'interfaccia SPI. Il GD3160 include funzioni di autotest, controllo e protezione per la progettazione di sistemi ad alta affidabilità (ASIL C/D) e soddisfa i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche, completamente conformi alle qualifiche AEC-Q100 di grado 1.
Caratteristiche
- Isolamento del segnale galvanico integrato (fino a 8 kV)
- Elevata corrente di gate integrata con capacità di sorgente/dissipatore a 15 A
- Interfaccia SPI per monitoraggio di sicurezza, configurazione e segnalazione diagnostica
- Supporta alte frequenze di commutazione di PWM fino a 100 kHz
- Gestione dello stato a sicurezza intrinseca dal dominio LV e HV per stato sicuro selezionabile dall'utente
- Regolatore di tensione di gate programmabile su una gamma estesa
- Rilevazione della temperatura compatibile con termistori NTC e PTC
- Desaturazione configurabile e rilevazione di corrente ottimizzata per proteggere SiC e IGBT
- Arresto progressivo integrato, spegnimento a due livelli, ottimizzato per requisiti esclusivi di pilotaggio del gate SiC
- Monitoraggio VCE e VGE in tempo reale tramite pin INTA
- ADC integrato per il monitoraggio dei parametri dal dominio HV
- CMTI > 100V/ns
- Compatibile con 200 V a 1700 V IGBT/SIC, intervallo di potenza > 125 kW
- Intervallo temperatura di funzionamento da -40 °C a 125 °C
- Distanza superficiale esterna (CPG) di > 7,8 mm
- Disponibile nelle varianti di interfaccia logica I/O 3,3 V o 5,0 V
- SOIC a 32 pin con ingombro ridotto (8 mm x 13 mm)
- Approvazioni di sicurezza e di conformità ai requisiti normativi
- Isolamento rinforzato per DIN V VDE 0884-10
- Resistono a un isolamento di 5000 V rms (1 minuto) per UL 1577
- Avviso di accettazione dei componenti CSA 5 A
- AEC-Q100 grado 1 adatto per il settore automobilistico
Kit associati
NXP Semiconductors Kit di valutazione a mezzo ponte GD3160 per Danfoss DCM™ 1000X
Include l'hardware del microcontroller Freedom KL25Z per interfacciare un PC e due gate drive GD3160.
Soluzione associata
NXP Semiconductors Invertitori di trazione per veicoli elettrici (EV)
Dispositivi di importanza critica negli EV che convertonol'alimentazione CC dalla batteria all'alimentazione CA per azionare il motore di trazione.
Diagramma di applicazione semplificato
