Gate driver avanzati GD3160

I gate driver avanzati GD3160 di NXP Semiconductors sono progettati per pilotare moduli SiC e IGBT per inverter di trazione xEV, convertitori OBC e CC-CC. Il GD3160 presenta un isolamento galvanico integrato, un'interfaccia programmabile tramite SPI e opzioni di protezione programmabili avanzate, come sovratemperatura, desaturazione e protezione della rilevazione di corrente.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto Tipo Stile di montaggio Package/involucro Numero di driver Numero di uscite Corrente di uscita Configurazione Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
NXP Semiconductors Driver di porta EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC 679A magazzino
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Driver di porta EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC 740A magazzino
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Driver di porta EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC 1.270A magazzino
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Driver di porta EV Inverter Control; IGBT & SiC GDIC Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Reel
NXP Semiconductors Driver di porta GD3160 Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
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IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT SOIC-32 1 Driver 1 Output 15 A Non-Inverting - 40 C + 150 C GD3160 Tray