Wolfspeed MOSFET di potenza SiC 1.200 V a basso profilo TO-247-4
I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) 1.200 V a basso profilo TO-247-4 di Wolfspeed presentano commutazione ad alta velocità con basse capacità e alta tensione di blocco con bassa resistenza in conduzione. Questi MOSFET di potenza riducono le perdite di commutazione e i requisiti di raffreddamento e riducono al minimo il gate ringing. I MOSFET di potenza SiC 1200 V incorporano un diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr). Questi MOSFET di potenza aumentano la densità di potenza e la frequenza di commutazione del sistema. I MOSFET di potenza SiC 1200 V sono disponibili in package ottimizzati con pin sorgente driver separati e sono disponibili in un corpo package TO-247-4 di profilo più basso. Questi MOSFET di potenza sono privi di alogeni e conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono controllo motori, caricabatterie EV, convertitori CC/CC ad alta tensione, solari/ESS, UPS e PSU entreprise.Caratteristiche
- Alta tensione di blocco con bassa resistenza in conduzione
- Commutazione ad alta velocità con bassa capacità
- Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
- Riduci le perdite di commutazione e minimizza il gate ringing
- Maggiore efficienza di sistema
- Riduci i requisiti di raffreddamento
- Riduzione dei requisiti del dissipatore di calore
- Aumenta la densità di potenza
- Aumenta la frequenza di commutazione del sistema
- Package ottimizzato con pin sorgente driver separato
- Package TO-247-4 a profilo più basso
- Privi di alogeni
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Controllo del motore
- Caricabatterie EV
- Convertitori CC/CC ad alta tensione
- Energia solare/ESS
- UPS
- Alimentatore aziendale
Diagramma schematico
Schede tecniche
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| Codice prodotto | Scheda dati | Id - corrente di drain continua | Rds On - Drain-source sulla resistenza | Qg - Carica del gate | Pd - Dissipazione di potenza | Tempo di caduta | Tempo di salita | Ritardo di spegnimento tipico | Tipico ritardo di accensione | Stile di montaggio |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0021120K1 | ![]() |
100 A | 35 mOhms | 177 nC | 405 W | 13 ns | 39 ns | 54 ns | 17 ns | Through Hole |
| C3M0032120K1 | ![]() |
69 A | 55 mOhms | 118 nC | 278 W | 8 ns | 19 ns | 24 ns | 16 ns | Through Hole |
| C3M0040120K1 | ![]() |
66 A | 70 mOhms | 94 nC | 242 W | 8 ns | 16 ns | 23 ns | 13 ns | Through Hole |
| C3M0075120K1 | ![]() |
32 A | 135 mOhms | 53 nC | 145 W | 11 ns | 22 ns | 29 ns | 8 ns | Through Hole |
| C3M0160120K1 | ![]() |
17.9 A | 280 mOhms | 32 nC | 103 W | 12 ns | 9 ns | 13 ns | 8 ns | Through Hole |
| C3M0016120K1 | ![]() |
115 A | 29 mOhms | 223 nC | 556 W | 13 ns | 40 ns | 62 ns | 19 ns | Through Hole |
Pubblicato: 2024-06-20
| Aggiornato: 2024-10-04

