MOSFET di potenza SiC 1.200 V a basso profilo TO-247-4

I MOSFET di potenza in carburo di silicio (SiC) 1.200 V a basso profilo TO-247-4 di Wolfspeed presentano commutazione ad alta velocità con basse capacità e alta tensione di blocco con bassa resistenza in conduzione. Questi MOSFET di potenza riducono le perdite di commutazione e i requisiti di raffreddamento e riducono al minimo il gate ringing. I MOSFET di potenza SiC 1200 V incorporano un diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr). Questi MOSFET di potenza aumentano la densità di potenza e la frequenza di commutazione del sistema. I MOSFET di potenza SiC 1200 V sono disponibili in package ottimizzati con pin sorgente driver separati e sono disponibili in un corpo package TO-247-4 di profilo più basso. Questi MOSFET di potenza sono privi di alogeni e conformi a RoHS. Le applicazioni tipiche includono controllo motori, caricabatterie EV, convertitori CC/CC ad alta tensione, solari/ESS, UPS e PSU entreprise.

Risultati: 6
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
167A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
428A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
153A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
254A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
386A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET SiC SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Scheda dati
880In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement