Vishay General Semiconductor VxxDL45BP Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers
Vishay General Semiconductor VxxDL45BP Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers for PV Solar Cell Bypass Protection provide low forward voltage drop and low power losses. Vishay VxxDL45BP series is ideal for automated placement due to its very low profile(typical height of 1.7mm). The VxxDL45BP Series meets MSL level 1, per J-STD-020, with a LF maximum peak of +260°C.
Features
- Up to 40A forward current
- Up to 580mV forward voltage
- Up to 240A forward surge current
- 5mA reverse current
Associated Rectifiers
Vishay General Semiconductor Barriera Schottky Trench MOS TMBS®
Offre ridotte iniezioni del vettore di minoranza nella regione della deviazione, riducendo in tal modo al minimo le cariche accumulate e migliorando le velocità di commutazione.
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione | If - Corrente diretta | Vf - Tensione diretta | Ir - Corrente inversa |
|---|---|---|---|---|---|
| V30DL45BP-M3/I |  |
Diodi e raddrizzatori Schottky 30A 45V .28V@5A TrenchMOS | 30 A | 570 mV | 3 mA |
| V40DL45BP-M3/I | |
Diodi e raddrizzatori Schottky 40A 45V .26V@5A TrenchMOS | 40 A | 580 mV | 5 mA |
| V20DL45BP-M3/I | |
Diodi e raddrizzatori Schottky 20A 45V .31V@5A TrenchMOS | 20 A | 550 mV | 2.5 mA |
Pubblicato: 2015-02-11
| Aggiornato: 2022-03-11