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Raddrizzatore Trench MOS Barrier Schottky per protezione di bypass delle celle fotovoltaiche serie VxxDL45BP
Il raddrizzatore Trench MOS Barrier Schottky per protezione di bypass delle celle fotovoltaiche serie VxxDL45BP di Vishay Semiconductor offre bassa caduta della tensione diretta e basse perdite di potenza. Grazie al profilo ultra-basso (altezza tipica di 1,7 mm) è ideale per il posizionamento automatico. La serie VxxDL45BP soddisfa il livello 1 MSL, per J-STD-020, con un picco LF massimo di 260 °C. Maggiori informazioni