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Vishay Semiconductors Diodi a ponte monofase SiC VS-SCx0BA120

I diodi ponte SCHOTTKY monofase VS-SCx0BA120 in carburo di silicio (SiC) di Vishay Semiconductors  sono componenti ad alte prestazioni, da 1.200 V robusti per conversione di potenza efficienti in varie applicazioni. Utilizzando la tecnologia SiC, questi diodi offrono una conducibilità termica superiore e capacità ad alto voltaggio. Questi diodi SCHOTTKY a banda ampia garantiscono una commutazione rigida ad alta velocità e un funzionamento efficiente in un ampio intervallo di temperatura (da -40°C a +175°C). Le applicazioni tipiche includono la rettifica dell'uscita ad altissima frequenza ultra CA/CC PFC e CC/CC nei convertitori FBPS e LLC. I diodi ponte Schottky monofase  VS-SCx0BA120 in carburo di silicio (SiC) di Vishay Semiconductors sono consigliati per tutte le applicazioni che presentano un comportamento di recupero ultrarapido del silicio.

Caratteristiche

  • Praticamente nessun terminale di recupero e nessuna perdita di commutazione
  • Diodo portante di maggioranza che utilizza la tecnologia Schottky su materiale a banda larga SiC
  • Miglioramento VF ed efficienza grazie alla tecnologia a wafer sottile
  • Commutazione ad alta velocità, basse perdite di commutazione
  • Coefficiente di temperatura positivo, per un facile collegamento in parallelo
  • Piastra di base elettricamente isolata
  • Ampia distanza di dispersione tra i terminali
  • Design meccanico semplificato, assemblaggio rapido
  • Progettati e qualificati per il livello industriale
  • File approvato UL E78996
  • Senza piombo e conformi a RoHS

Applicazioni

  • Server
  • Invertitori solari
  • Telecomunicazioni
  • Gruppi statici di continuità (UPS)

Specifiche

  • Tensione di rottura da catodo ad anodo 1200 V minima
  • Intervallo di tensione diretta tipico da 1,5 V a 2,48 V
  • Intervallo di corrente di dispersione inversa tipica da 1,3 μA a 10,0 μA
  • Opzioni di capacità elettrica di giunzione 136 pF o 206 pF
  • Opzioni di corrente di uscita CC massima 50 A o 90 A
  • Intervallo di corrente diretta non ripetitiva monociclo da 276 A a 524 A picco massimo
  • Opzioni intervallo di tensione di soglia da 0,81 V 0,88 V o da 0,88 V a 1,01 V per tratta
  • Valori di resistenza alla pendenza diretta da 22,62 mΩ a 22,71 mΩ o da 31,16 mΩ a 31,49 mΩ
  • Intervallo di temperatura di giunzione da -40 °C a +175 °C
  • Tipo di involucro SOT-227

Scheda dati

  • Ponte monofase al carburo di silicio SOT-227 VS-SC50BA120, 50 A
  • Ponte monofase in carburo di silicio VS-SC90BA120 SOT-227, 90 A
Pubblicato: 2024-10-31 | Aggiornato: 2024-11-12