Diodi a ponte monofase SiC VS-SCx0BA120

I diodi ponte SCHOTTKY monofase VS-SCx0BA120 in carburo di silicio (SiC) di Vishay Semiconductors  sono componenti ad alte prestazioni, da 1.200 V robusti per conversione di potenza efficienti in varie applicazioni. Utilizzando la tecnologia SiC, questi diodi offrono una conducibilità termica superiore e capacità ad alto voltaggio. Questi diodi SCHOTTKY a banda ampia garantiscono una commutazione rigida ad alta velocità e un funzionamento efficiente in un ampio intervallo di temperatura (da -40°C a +175°C). Le applicazioni tipiche includono la rettifica dell'uscita ad altissima frequenza ultra CA/CC PFC e CC/CC nei convertitori FBPS e LLC. I diodi ponte Schottky monofase  VS-SCx0BA120 in carburo di silicio (SiC) di Vishay Semiconductors sono consigliati per tutte le applicazioni che presentano un comportamento di recupero ultrarapido del silicio.