Vishay / Siliconix MOSFET 30 V a canale N doppio SiZ340BDT
Il MOSFET a canale N doppio da 30 V SiZ340BDT Vishay / Siliconix presenta un design a doppia configurazione con potenza Gen IV TrenchFET®. Il modulo offre una tensione drain-source di 30 VDS e una corrente di drain a impulsi di 150 A in un intervallo di temperature da -55 °C a +150 °C. Il MOSFET a canale N doppio SiZ340BDT Vishay/Siliconix è senza alogeni e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche sono convertitori buck sincroni con potenza di nucleo CPU, CC/CC per telecomunicazioni e computer.
Caratteristiche
- MOSFET di potenza 4ª generazione TrenchFET
- Testati al 100% per Rg e UIS
- Stadio di potenza MOSFET a mezzo ponte integrato PowerPAIR®
- Il rapporto Qgd/Qgs ottimizzato migliora le caratteristiche di commutazione
- Conformità a RoHS
- Privi di alogeni
Applicazioni
- Potenza di core di CPU
- Periferiche per computer/server
- Punto di carico (PoL)
- Convertitori buck sincroni
- CC/CC telecomunicazioni
Dimensioni
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Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
Pubblicato: 2020-11-19
| Aggiornato: 2024-12-17