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SIZ340BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ340BDT-T1-GE3
Price: 0.96 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIZ340BDT-T1-GE3

N. produttore:

SIZ340BDT-T1-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET PPAIR3X3 2NCH 30V 16.9A

Scheda dati:

SIZ340BDT-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,963 €	0,96 €
	0,605 €	6,05 €
	0,396 €	39,60 €
	0,307 €	153,50 €
	0,284 €	284,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,241 €	723,00 €
	0,234 €	1.404,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAIR-3x3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	36 A, 69.3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.31 mOhms, 8.56 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.4 V
Qg - Carica del gate:	8.4 nC, 15.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	16.7 W, 31 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay / Siliconix
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	TW
Tempo di caduta:	5 ns, 7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	30 S, 60 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns, 7 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	18 ns, 22 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns, 12 ns
Peso unità:	143,050 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET 30 V a canale N doppio SiZ340BDT

Il MOSFET a canale N doppio da 30 V SiZ340BDT Vishay / Siliconix presenta un design a doppia configurazione con potenza Gen IV TrenchFET®. Il modulo offre una tensione drain-source di 30 V_DS e una corrente di drain a impulsi di 150 A in un intervallo di temperature da -55 °C a +150 °C. Il MOSFET a canale N doppio SiZ340BDT Vishay/Siliconix è senza alogeni e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche sono convertitori buck sincroni con potenza di nucleo CPU, CC/CC per telecomunicazioni e computer.