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Vishay MOSFET a canale N da 150 V (D-S) SiRS5700DP

Il MOSFET a canale N da 150 V (D-S) SiRS5700DP di Vishay è un MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V con un valore di RDS x Qg (FOM) molto basso. L'SiRS5700DP di Vishay ottimizza l'efficienza energetica e la RDS(on) del dispositivo minimizza la perdita di potenza durante la conduzione, garantendo un funzionamento efficiente. Questo MOSFET viene sottoposto a test Rg e UIS al 100%, garantendo l'affidabilità. Il dispositivo migliora anche la dissipazione di potenza e riduce la resistenza termica (RthJC), rendendolo una scelta ideale per applicazioni ad alte prestazioni.

Caratteristiche

  • MOSFET di potenza Gen V TrenchFET
  • Cifra di merito (FOM) RDS x Qg molto bassa
  • L'eccellente RDS(on) riduce al minimo la perdita di potenza dalla conduzione
  • Testati al 100% per Rg e UIS
  • Migliora la dissipazione di potenza e riduce la RthJC

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono
  • Convertitori CC/CC
  • O-ring e interruttori hot swap
  • Alimentatori
  • Controllo azionamenti motore
  • Gestione batteria

Circuito di applicazione

Schema di circuito di applicazione - Vishay MOSFET a canale N da 150 V (D-S) SiRS5700DP
Vishay MOSFET a canale N da 150 V (D-S) SiRS5700DP
Pubblicato: 2024-01-19 | Aggiornato: 2024-11-26