Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

SIRS5700DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRS5700DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIRS5700DP-T1-RE3
Price: 4.05 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

78-SIRS5700DP-T1-RE3

N. produttore:

SIRS5700DP-T1-RE3

Produttore:

Vishay

Descrizione:

MOSFET N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

Scheda dati:

SIRS5700DP-T1-RE3 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Vishay SIRS5700DP-T1-RE3

A magazzino: 2.618

A magazzino:: 2.618 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,05 €	4,05 €
	2,68 €	26,80 €
	2,05 €	205,00 €
	1,78 €	890,00 €
	1,73 €	1.730,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	1,51 €	4.530,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	144 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	73 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	278 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	25 ns
Transconduttanza diretta - Min:	122 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	21 ns
Serie:	SiRS5700DP
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	40 ns
Tipico ritardo di accensione:	20 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

SIRS5700DP-T1-RE3 Scheda dati

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N da 150 V (D-S) SiRS5700DP

Il MOSFET a canale N da 150 V (D-S) SiRS5700DP di Vishay è un MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V con un valore di R_DS x Q_g (FOM) molto basso. L'SiRS5700DP di Vishay ottimizza l'efficienza energetica e la R_DS(on)del dispositivo minimizza la perdita di potenza durante la conduzione, garantendo un funzionamento efficiente. Questo MOSFET viene sottoposto a test Rg e UIS al 100%, garantendo l'affidabilità. Il dispositivo migliora anche la dissipazione di potenza e riduce la resistenza termica (R_thJC), rendendolo una scelta ideale per applicazioni ad alte prestazioni.