Vishay / Siliconix SiHH080N60E MOSFET di potenza serie E
I MOSFET di potenza serie e SiHH080N60E Vishay / Siliconix offrono tecnologia serie E di 4ª generazione in un package PowerPAK® 8 x 8. I MOSFET SiHH080N60E offrono una bassa cifra di merito (FOM) Ron x Qg e una bassa capacitanza effettiva (Co(er)). Le perdite di switching e conduzione ridotte dei MOSFET di potenza serie e SiHH080N60E Vishay / Siliconix sono ottimizzate con carica totale del gate di 63 nC ad una tensione drain-source di 650 V.
I MOSFET di potenza serie E SiHH080N60E una tensione drain-source sono adatti ai server, alimentazione per telecomunicazioni, modalità di switching (SMPS) e alimentatori PFC (Power factor correction).
Caratteristiche
- Tecnologia serie E di 4ª generazione
- Bassa cifra di merito (FOM) Ron x Qg
- Bassa capacitanza efficace (Co(er))
- Perdite di switching e conduzione ridotte
- Classe energetica di valanga (UIS)
Applicazioni
- Alimentazione per telecomunicazioni e server
- Alimentatori switching (SMPS)
- Correzione del fattore di potenza delle alimentazioni (PFC)
- Illuminazione
- Scarica ad alta intensità (HID)
- Illuminazione con reattori fluorescenti
- Settore industriale
- Saldatura
- Riscaldamento a induzione
- Unità di azionamento motore
- Caricabatterie
- Inverter solari (FV)
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Diagramma di circuito
Pubblicato: 2021-03-10
| Aggiornato: 2022-03-11