MOSFET ad alte prestazioni serie E da 600-650 V Vishay Siliconix

I MOSFET ad alte prestazioni della serie E di Vishay Siliconix sono MOSFET di potenza a canale N da 500 V e 650 V con tecnologia Super Junction con una riduzione del 30% della resistenza in conduzione specifica rispetto ai MOSFET della serie S. Questa serie E di MOSFET ad alte prestazioni si caratterizza per la bassa resistenza in conduzione (RDS(on)), la bassa capacità di ingresso (Ciss), le perdite di commutazione capacitiva ridotte, la carica del gate ultrabassa (Qg), il basso costo, i circuiti di pilotaggio del gate semplificati, la bassa cifra di merito (FOM: RDS(on) x Qg) e la commutazione rapida. Le applicazioni tipiche includono alimentatori per server e telecomunicazioni, illuminazione, uso industriale, caricabatterie, energia rinnovabile e SMPS.
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
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25.529A magazzino
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: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 7A N-CH MOSFET
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1.467A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 34 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 15A N-CH MOSFET
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3.906A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 650V 24A N-CH MOSFET
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2.800A magazzino
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: 800

Si SMD/SMT D²PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 12A N-CH MOSFET
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1.931A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 88 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8A N-CH MOSFET
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1.643A magazzino
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: 1.000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 15A N-CH MOSFET
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1.561A magazzino
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET
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5.586A magazzino
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.9 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 7 nC - 55 C + 155 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 25A N-CH MOSFET
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1.611A magazzino
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 127 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 75 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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5.512A magazzino
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 609 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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682A magazzino
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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618A magazzino
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET
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1.517A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10.5 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
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2.114A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
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: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 56 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
Scheda dati
3.734A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
Scheda dati
3.177A magazzino
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Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 45 V 208 A 1.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET
Scheda dati
1.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7.5 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
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1.509A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 800V 8A N-CH MOSFET
Scheda dati
7.303A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
Scheda dati
2.363A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 19A N-CH MOSFET
Scheda dati
2.002A magazzino
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Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 800V 15A N-CH MOSFET
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9.479A magazzino
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Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
Scheda dati
9.550A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17.4 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 32 W Enhancement Tube
Vishay MOSFET TO220 600V 12A N-CH MOSFET
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3.912A magazzino
Min: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 13A N-CH MOSFET
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1.361A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 269 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube