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Vishay / Siliconix MOSFET di potenza a canale N SiHR080N60E

Il MOSFET di potenza a canale N di Vishay / Siliconix SiHR080N60E è un MOSFET di potenza di quarta generazione 600 V serie E in un package PowerPAK® 8 x 8LR. Il MOSFET offre maggiore efficienza e densità di potenza per applicazioni nel settore delle telecomunicazioni, industriale e informatica. Il SiHR080N60E presenta una resistenza tipica di accensione bassa di 0,074 Ω a 10 V e una carica di gate ultra-bassa fino a 42 nC, con conseguente riduzione delle perdite di conduzione e di commutazione, che consente di risparmiare energia e aumentare l'efficienza nei sistemi di alimentazione >2 kW. Il pacchetto offre anche una connessione Kelvin per un'efficienza di commutazione migliorata. Il Vishay/Siliconix SiHR080N60E è progettato per resistere ai transitori di sovratensione in modalità valanga con limiti garantiti tramite test UIS 100%.

Caratteristiche

  • Tecnologia serie E di 4ª generazione
  • Bassa cifra di merito (FOM) (FOM) Ron x Qg
  • Bassa capacitanza efficace (Co(er))
  • Perdite di commutazione e conduzione ridotte
  • Raffreddamento lato superiore
  • Classe di energia a valanga (UIS)
  • I conduttori ad ala di gabbiano offrono un’eccellente capacità di ciclo di temperatura
  • Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS

Applicazioni

  • Alimentatori per server e telecomunicazioni
  • Alimentatori switching (SMPS)
  • Alimentatori PFC (correzione del fattore di potenza)
  • Illuminazione
    • Scarica ad alta intensità (HID)
    • Illuminazione con reattori fluorescenti
  • Settore industriale
    • Saldatura
    • Riscaldamento a induzione
    • Unità di azionamento motore
    • Caricabatterie
    • Solari (inverter PV)

Specifiche

  • Tensione drain-source massima 600 V
  • Tensione massima tra gate e sorgente di ±30 V
  • Corrente di drain continua massima a VGS = 10 V
    • 51 A a +25 °C
    • 32 A a +100 °C
  • Corrente di drain a impulsi massima 96 A
  • Fattore di riduzione lineare massimo 4,0 W/°C
  • Energia a valanga a impulso singolo massima di 173 mJ
  • Dissipazione di potenza massima 500 W
  • Pendenza di tensione drain-source massima 100V/ns a +125 °C
  • Diodo inverso massimo 10 V/ns dv/dt
  • Resistenza termica massima
    • Da giunzione ad ambiente 42 °C/W
    • Giunzione-involucro 0,25 °C/W (drain)
  • Intervallo di temperatura di giunzione di funzionamento da -55 °C a +150 °C
  • Package PowerPAK 8 x 8LR

Dimensioni

Vishay / Siliconix MOSFET di potenza a canale N SiHR080N60E
Pubblicato: 2024-07-09 | Aggiornato: 2024-07-12