SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHR080N60ET1GE3
SIHR080N60E-T1-GE3

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 600V

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
600 V
51 A
74 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
Marchio: Vishay / Siliconix
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 31 ns
Transconduttanza diretta - Min: 4.6 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 96 ns
Serie: SIHR E
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 37 ns
Tipico ritardo di accensione: 31 ns
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza a canale N SiHR080N60E

Il MOSFET di potenza a canale N di Vishay / Siliconix SiHR080N60E è un MOSFET di potenza di quarta generazione 600 V serie E in un package PowerPAK® 8 x 8LR. Il MOSFET offre maggiore efficienza e densità di potenza per applicazioni nel settore delle telecomunicazioni, industriale e informatica. Il SiHR080N60E presenta una resistenza tipica di accensione bassa di 0,074 Ω a 10 V e una carica di gate ultra-bassa fino a 42 nC, con conseguente riduzione delle perdite di conduzione e di commutazione, che consente di risparmiare energia e aumentare l'efficienza nei sistemi di alimentazione >2 kW. Il pacchetto offre anche una connessione Kelvin per un'efficienza di commutazione migliorata. Il Vishay/Siliconix SiHR080N60E è progettato per resistere ai transitori di sovratensione in modalità valanga con limiti garantiti tramite test UIS 100%.