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Vishay / Siliconix MOSFET a canale N SiEH4800EW TrenchFET® Gen IV da 80 V

Il MOSFET a canale N SiEH4800EW TrenchFET® Gen IV da 80 V di Vishay / Siliconix è progettato per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza. Alloggiato in un package compatto PowerPAK®da 8 mm x 8 mm bond wireless (BWL), il SiEH4800EW offre una resistenza di conduzione eccezionalmente bassa di 0,00115 Ω a una VGS di 10 V, riducendo al minimo le perdite per conduzione e migliorando le prestazioni termiche. Con una corrente di scarico continua massima di 260 A e una carica di gate ridotta di 117 nC, il MOSFET di Vishay / Siliconix è ottimizzato per commutazioni rapide e gestione di correnti elevate, rendendolo ideale per l'uso nella rettifica sincrona, negli azionamenti dei motori e nei convertitori DC-DC ad alte prestazioni. Un design robusto e un'avanzata tecnologia di trincea garantiscono un funzionamento affidabile in ambienti impegnativi.

Caratteristiche

  • MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
  • Disponibile nel contenitore BWL PowerPAK 8 mm x 8 mm, che consente di risparmiare spazio e ha un profilo ultra-basso di 1 mm, minimizza l'induttanza parassita e massimizza la capacità di corrente
  • Il pacchetto laterale bagnabile migliora la saldabilità, rendendo più facile l'ispezione visiva dell'affidabilità della saldatura
  • Implementa un terminale fuso per aumentare l'area saldabile del PAD sorgente e consentire un design più robusto
  • Il valore massimo di RthJC di 0,36 °C/W migliora le prestazioni termiche
  • L'on-resistance ridotta fino a 0,88 mΩ tipica a 10 V minimizza le perdite di potenza per conduzione, aumentando l'efficienza
  • Cifra di merito (FOM) RDS x Qg molto bassa
  • Funzionamento ad alta temperatura fino a +175 °C
  • Ingombro del 50% inferiore rispetto al D2PAK (TO-263)
  • Testato al 100% per Rg e UIS
  • Completamente esente da piombo, alogeni e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono
  • O-ring
  • Controllo azionamenti motore
  • Gestione batteria

Specifiche

  • Statico
    • Tensione massima di rottura tra drain e source pari a 80 V
    • Tensione di soglia tra gate e source da 2 V a 4 V
    • Sottrazione massima gate-source ±100nA
    • Trasconduttanza diretta tipica 150 S
  • Resistenza
    • Capacità di ingresso tipica 29 nF
    • Capacità di uscita tipica 1.650 pF
    • Capacità di trasferimento inversa tipica 42 pF
    • Intervallo di resistenza di gate da 0,24 Ω a 2,4 Ω
    • Intervallo di tempo di ritardo di accensione massimo da 45 ns a 60 ns
    • Intervallo di tempo di salita massimo da 30 ns a 50 ns
    • Intervallo di tempo di ritardo di spegnimento massimo da 130 ns a 140 ns
    • Tempo di caduta 40 ns
  • Diodo corpo Drain-source
    • Corrente massima continua del diodo source-drain 379 A (TC = +25 °C)
    • 700 A corrente massima in impulsi del diodo in avanti
    • 1,1 V tensione massima del diodo di corpo
    • 165 ns tempo massimo di recupero inverso del diodo di corpo
    • Carica di recupero inverso del diodo del corpo massima 500 nC
    • Tempo di caduta di recupero inverso tipico di 60 ns
    • Tempo di salita di recupero inverso tipico di 23 ns
  • Tensione massima di gate-source di ±20 V
  • Corrente di drenaggio continua massima (TJ = +175 °C)
    • Da 29 A (TA = +70 °C) a 34 A (TA = +25 °C)
    • 319 A (TC = +70 °C) a 381 A (TC = +25 °C)
  • Valanga ad impulso singolo
    • Corrente massima 87 A
    • Energia massima 380 mJ
  • Dissipazione di potenza max.
    • Da 2,4 W (TA = +70 °C) a 3,4 W (TA = +25 °C)
    • 292 W (TC = +70 °C) a 417 W (TC = +25 °C)
  • Intervallo di temperature di giunzione operativa da -55 °C a +175 °C
  • Temperatura di saldatura massima di picco di +260 °C
  • Resistenza termica massima
    • 44 °C/W giunzione-ambiente, stato stazionario
    • 0,36 °C/W m giunzione-alloggiamento (di scolo), stato stazionario

Risorse

Pubblicato: 2025-06-11 | Aggiornato: 2025-06-16