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SIEH4800EW-T1-GE3

Name: Vishay SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIEH4800EW-T1-GE3
Price: 5.13 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIEH4800EW-T1-GE3

N. produttore:

SIEH4800EW-T1-GE3

Produttore:

Vishay

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

SIEH4800EW-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5,13 €	5,13 €
	3,57 €	35,70 €
	2,58 €	258,00 €
	2,56 €	1.280,00 €
	2,17 €	6.510,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerPAK-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	34 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.15 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	278 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3.4 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	Vishay
Tempo di caduta:	30 ns
Transconduttanza diretta - Min:	150 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	40 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	45 s
Tipico ritardo di accensione:	140 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N SiEH4800EW TrenchFET® Gen IV da 80 V

Il MOSFET a canale N SiEH4800EW TrenchFET^®Gen IV da 80 V di Vishay / Siliconix è progettato per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza. Alloggiato in un package compatto PowerPAK^®da 8 mm x 8 mm bond wireless (BWL), il SiEH4800EW offre una resistenza di conduzione eccezionalmente bassa di 0,00115 Ω a una V_GS di 10 V, riducendo al minimo le perdite per conduzione e migliorando le prestazioni termiche. Con una corrente di scarico continua massima di 260 A e una carica di gate ridotta di 117 nC, il MOSFET di Vishay / Siliconix è ottimizzato per commutazioni rapide e gestione di correnti elevate, rendendolo ideale per l'uso nella rettifica sincrona, negli azionamenti dei motori e nei convertitori DC-DC ad alte prestazioni. Un design robusto e un'avanzata tecnologia di trincea garantiscono un funzionamento affidabile in ambienti impegnativi.