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Vishay / Siliconix MOSFET (D-S) 20 V a canale N SiA466EDJ

Il SiA466EDJ Vishay è un MOSFET (D-S) a canale N da 20 V progettato usando il package SC-70 con un'area di ingombro di 2,05 mm per 2,05 mm. Ha una protezione ESD tipica di 2500 V ed è collaudato a norma Rg. Il SiA466EDJ viene generalmente utilizzato in smartphone, computer portatili, convertitori CC/CC, risparmio energetico e interruttori di carico.

Caratteristiche

  • TrenchFET® power MOSFET
  • Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
    • Small footprint area
    • Low on-resistance
  • 2500V (HBM) typical ESD protection 
  • 100% Rg tested

Applicazioni

  • Smartphones and mobile computing
  • DC/DC converters
  • Power management
  • Load switches

Associated MOSFETs

Vishay / Siliconix MOSFET Gen IV TrenchFET®

Offrono una bassa resistenza in conduzione del settore fino a 1,35 mΩ a 4,5 V.

Learn MoreInformazioni su Vishay / Siliconix MOSFET Gen IV TrenchFET® View ProductsCorrelato a Vishay / Siliconix MOSFET Gen IV TrenchFET®
Pubblicato: 2015-03-02 | Aggiornato: 2022-03-11