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SIA466EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA466EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA466EDJ-T1-GE3
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIA466EDJ-T1-GE3

N. produttore:

SIA466EDJ-T1-GE3

Produttore:

Vishay Semiconductors

Descrizione:

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Scheda dati:

SIA466EDJ-T1-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,903 €	0,90 €
	0,563 €	5,63 €
	0,369 €	36,90 €
	0,285 €	142,50 €
	0,258 €	258,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,223 €	669,00 €
	0,206 €	1.236,00 €
	0,199 €	1.791,00 €
	0,192 €	4.608,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SC-70-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	25 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	9.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	20 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	19.2 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	TrenchFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Vishay Semiconductors
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors

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Scheda dati

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Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET Gen IV TrenchFET®

I MOSFET Gen IV TrenchFET^® di Vishay/Siliconix offrono una bassa resistenza in conduzione del settore e una bassa carica totale del gate in package SO-8 e 1212-8S PowerPAK^®. Questi MOSFET Gen IV TrenchFET presentano una R_DS(on) estremamente bassa, che si traduce in perdite di conduzione inferiori per una riduzione del consumo energetico. I MOSFET TrenchFET sono disponibili anche con package 1212-8 PowerPAK^® che consentono di risparmiare spazio con un'efficienza simile e un terzo delle dimensioni. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta potenza, raddrizzamento sincrono, microinverter solari e interruttori per unità di azionamento motore.

MOSFET (D-S) 20 V a canale N SiA466EDJ

Il SiA466EDJ Vishay è un MOSFET (D-S) a canale N da 20 V progettato usando il package SC-70 con un'area di ingombro di 2,05 mm per 2,05 mm. Ha una protezione ESD tipica di 2500 V ed è collaudato a norma R_g. Il SiA466EDJ viene generalmente utilizzato in smartphone, computer portatili, convertitori CC/CC, risparmio energetico e interruttori di carico.
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Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.