Texas Instruments Driver di gate a canale singolo isolato UCC21717-Q1
Il driver di gate a canale singolo isolato UCC21717-Q1 di Texas Instruments è progettato per pilotare IGBT e MOSFET SiC fino a 1.700 V. Presenta una protezione integrata avanzata, prestazioni dinamiche superiori e robustezza. L'UCC21717-Q1 ha una corrente di sorgente e sink di picco fino a ±10 A. Il lato di input è isolato dal lato uscita con tecnologia di isolamento capacitiva SiO2, supportando una tensione di lavoro fino a 1,5kVRMS, immunità da sovratensione di 12,8kVPK con una durata della barriera di isolamento superiore a 40 anni, oltre a fornire una bassa distorsione tra le parti e immunità al rumore (CMTI) di modo comune >150 V/ns.
UCC21717-Q1 di Texas Instruments include funzioni di protezione all'avanguardia, come il rilevamento rapido di sovracorrente e cortocircuito, il supporto del rilevamento della corrente shunt, la segnalazione dei guasti, il morsetto Miller attivo e l'UVLO dell'alimentazione di ingresso e uscita per ottimizzare il comportamento di commutazione SiC e IGBT e la robustezza. Il sensore analogico/PWM isolato può essere utilizzato per un rilevamento di temperatura o tensione più semplice, aumentando ulteriormente la versatilità dei driver e semplificando la progettazione, le dimensioni e i costi del sistema.
Caratteristiche
- Driver di gate isolato a canale singolo da 5,7 kVRMS
- Conforme allo standard AEC-Q100 per applicazioni nel settore automobilistico
- Grado di temperatura del dispositivo 0 (Intervallo delle temperature di funzionamento ambiente da -40 °C a +150 °C)
- Livello di classificazione ESD HBM del dispositivo 3A
- Classificazione ESD CDM di livello C6
- Dispositivo di tipo Functional Safety Quality-Managed
- Documentazione disponibile per facilitare la progettazione del sistema di sicurezza funzionale
- MOSFET SiC e IGBT fino a 2121 Vpk
- Tensione di uscita massima: 33 V (VDD-VEE)
- Forza di azionamento e uscita separata ±10 A
- CMTI minimo 150 V/ns
- Protezione da sovracorrente rapida con tempo di risposta di 270 ns
- Morsetto Miller attivo interno da 4 A
- Spegnimento progressivo da 400 mA in condizioni di guasto
- Sensore analogico isolato con uscita PWM per
- Rilevamento di temperatura con NTC, PTC o diodo termico
- DC-Link ad alta tensione o tensione di fase
- Allarme FLT su sovracorrente e reset da RST/EN
- Disabilitare il dispositivo con RST/EN attiva uno spegnimento progressivo.
- Rifiuta i transitori di rumore < 40="" ns="" e="" gli="" impulsi="" sui="" pin="" di="">
- UVLO VDD da 12 V con alimentazione efficiente su RDY.
- Ingressi/uscite con immunità alla tensione transitoria over/under-shoot fino a 5 V
- Ritardo di propagazione di 130 ns (massimo) e sfasamento di impulsi/parte di 30 ns (massimo).
- Package DW SOIC-16 con distanza di passo e distanza > 8 mm.
- Temperatura di giunzione di funzionamento da -40°C a 150°C.
Applicazioni
- Inverter di trazione per veicoli elettrici
- Caricabatterie e pila di ricarica su scheda
- Convertitore CC-CC per veicoli elettrici ibridi/veicoli elettrici
Diagramma a blocchi funzionale
Strumento di sviluppo
Texas Instruments UCC21710QDWEVM-025 Evaluation Board
A compact, single ch, isolated gate driver board for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules.
Pubblicato: 2023-08-28
| Aggiornato: 2025-03-06