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UCC21717QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21717QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21717QDWRQ1
Price: 5.03 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-UCC21717QDWRQ1

N. produttore:

UCC21717QDWRQ1

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Gate driver isolati galvanicamente Automotive 10-A sour ce/sink single-chan

Scheda dati:

UCC21717QDWRQ1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,03 €	5,03 €
	3,82 €	38,20 €
	3,53 €	88,25 €
	3,19 €	319,00 €
	3,04 €	760,00 €
	2,93 €	1.465,00 €
	2,86 €	2.860,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	2,80 €	5.600,00 €
	2,68 €	10.720,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::
Serie:	UCC21717
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-16
Numero di canali:	1 Channel
Tensione di isolamento:	5700 Vrms
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Ritardo propagazione - Max:	130 ns
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Sensibili all’umidità:	Yes
Tipo di prodotto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Spegnimento:	Shutdown
Quantità colli di fabbrica:	2000
Tensione di alimentazione - Max.:	5.5 V
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V

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ECCN:: EAR99

Driver di gate a canale singolo isolato UCC21717-Q1

Il driver di gate a canale singolo isolato UCC21717-Q1 di Texas Instruments è progettato per pilotare IGBT e MOSFET SiC fino a 1.700 V. Presenta una protezione integrata avanzata, prestazioni dinamiche superiori e robustezza. L'UCC21717-Q1 ha una corrente di sorgente e sink di picco fino a ±10 A. Il lato di input è isolato dal lato uscita con tecnologia di isolamento capacitiva SiO₂, supportando una tensione di lavoro fino a 1,5kV_RMS, immunità da sovratensione di 12,8kV_PK con una durata della barriera di isolamento superiore a 40 anni, oltre a fornire una bassa distorsione tra le parti e immunità al rumore (CMTI) di modo comune >150 V/ns.