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STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

Il transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK di STMicroelectronics è un transistor PowerGaN ad arricchimento (E-Mode) ad alte prestazioni, ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative. Con una tensione nominale drain-source di 700V e una resistenza massima di 350mΩ, il transistor SGT350R70GTK di STMicroelectronics offre bassi livelli di perdite in conduzione e capacità di commutazione rapida grazie alla tecnologia al nitruro di gallio (GaN). Confezionato in un formato DPAK termicamente potenziato, il dispositivo supporta la gestione di alta corrente e una dissipazione del calore migliorata, adatto per progetti ad alta densità di potenza. Una bassa carica di gate e una bassa capacità di uscita consentono il funzionamento ad alta frequenza, ideale per l'uso nella correzione del fattore di potenza (PFC), in convertitori risonanti e in altre avanzate topologie di potenza nei settori industriale, delle telecomunicazioni e dell'elettronica di consumo.

Caratteristiche

  • Transistor normalmente spento ad arricchimento (E-Mode)
  • Velocità di commutazione molto elevata
  • Alta capacità di gestione dell'energia
  • Capacità estremamente basse
  • Carica di recupero inverso zero
  • Protezione ESD
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • Elettronica di consumo
  • Sistemi industriali
  • Data centre
  • Adattatori per tablet, notebook e computer All in One
  • Adattatori e caricatori rapidi USB Type-C® PD
  • Convertitori risonanti
  • Stadi di correzione del fattore di potenza (PFC)

Specifiche

  • Tensione massima drain-source 700V
  • Tensione transitoria massima drain-source 800V a tp <>
  • Tensione di alimentazione massima gate-source da -1,4V a 7V
  • Corrente di drain continua massima 6A a +25°C
  • Corrente di drain di impulso massima 10A a tp = 10 μs
  • Dissipazione di potenza totale massima 47W a +25°C
  • Tensione di conduzione inversa source-drain tipica 2,6V
  • A commutazione
    • Tempo di ritardo di accensione tipico 0,9 ns
    • Tempo di incremento tipico 3,5 ns
    • Tempo di ritardo di spegnimento tipico 1,2 ns
    • Tempo di riduzione tipico 6,1 ns
  • Statico
    • Corrente di dispersione drain-source massima 12μA
    • Corrente di dispersione gate-source tipica 30μA
    • Intervallo di tesione di soglia del gate da 1,2V a 2,5V
    • Resistenza in conduzione statica drain-source massima 350 mΩ
  • Protezione ESD modello del corpo umano (HBM) 2kV
  • Intervallo di temperatura operativa della giunzione da -55°C a +150°C
  • Resistenza
    • Capacità di ingresso tipica 50pF
    • Capacità di uscita tipica 15pF
    • Capacità elettrica di trasferimento inverso tipica 0,2pF
    • Capacità di uscita equivalente tipica, correlata all'energia, 20pF
    • Capacità di uscita equivalente tipica, correlata al tempo, 28 pF
    • Resistenza intrinseca del gate tipica 11Ω
    • Tensione di plateau del gate tipica 2,2V
    • Carica di gate totale tipica 1,5nC
    • Carica gate-source tipica 0,15nC
    • Carica gate-drain tipica 0,5nC
    • Carica di recupero inverso tipica 0nC
    • Carica di uscita tipica 13nC
  • Resistenza termica
    • 2,63°C/W da giunzione a involucro
    • 56°C/W da giunzione ad ambiente

Schema

Schema - STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

Test circuiti

Disegno meccanico - STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

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STMicroelectronics Standard Products

A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.

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Pubblicato: 2025-10-20 | Aggiornato: 2025-10-28