STMicroelectronics Scheda dimostrativa EVSTDRIVEG60015
La scheda dimostrativa EVSTDRIVEG60015 di STMicroelectronics consente agli utenti di valutare il gate driver a mezzo ponte ad alta velocità STDRIVEG600. Il driver STDRIVEG600 è ottimizzato per pilotare i transistori HEMT in GaN a modalità potenziata ad alta tensione. Il dispositivo è dotato di un diodo bootstrap integrato e permette di alimentare gli interruttori esterni fino a 20 V, con protezione da sottotensione personalizzata per i transistori HEMT in GaN.
La scheda EVSTDRIVEG60015 di STMicro è facile da usare e si adatta rapidamente per valutare le caratteristiche del driver STDRIVEG600 azionando i transistori GaN e-Mode SGT120R65AL da 650 V a 75 mΩ tip. La scheda offre un generatore di tempo morto programmabile integrato e un regolatore di tensione lineare 3,3 V per alimentare controller logici esterni come i microcontroller.
I footprint di ricambio inclusi consentono la personalizzazione della scheda per l’applicazione finale, come segnali d'ingresso LIN e HIN separati o il singolo segnale PWM, l’uso del diodo bootstrap esterno opzionale, l’alimentazione individuale per VCC, PVCC o BOOT e l’uso di un resistore shunt a valle per topologie in modalità corrente di picco. L'EVSTDRIVEG60015 ha una larghezza di 50 mm x 70 mm, PCB FR-4 con +25 °C/W R th(J-A) in aria calma.
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